Описание
Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)
Особенности: Кремниевая однокристальная подложка высокой чистоты si, тип N/P опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Режим роста: прямая тяга
Кристаллическая направленность: [111]/[100]/[110]
Плоскость: <1 микрон (измеренная общая Боевая страница)
Применение: 1.PVD/ CVD покрытие как подложка
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM
(Атомный силовой микроскоп)
3. Синхротронное излучение тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиальный рост подложки
5. Полупроводниковый процесс литографии и т. Д.
Примечание: другие размеры могут быть настроены и могут быть выставлены счета.





Характеристики
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- Customizable
- Номер модели
- Customizable
- Материал
- Silicon














