Описание
Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)
Особенности:Высокочистая Кремниевая si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Роста режим:Straight без застежки
С украшением в виде кристаллов направленности:[111]/[100]
Это действительно плоский экран:<1 микрон (измеренная общая страница)
Область применения:1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки
2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный,
Флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM (атомный силовой микроскоп)
3. Synchrotron радиационный тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиального роста подложки
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.
Классификация:6,25 × 6,25 × 0,5; 10 × 5 × 0,5; 10 × 10 × 0,5; 12,7 × 12,7 × 0,5;
15 × 15 × 0,5; 20 × 20 × 0,5; 25,4 × 25,4 × 0,5.
Примечание:Другие размеры могут быть настроены.
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- SEM single crystal silicon wafer single side polishing
- Номер модели
- SEM single crystal silicon wafer single side polishing
- Материал
- Другое