Описание
ОдиночныйБоковой полировка монокристаллическая силиконовая
Технические характеристики:
Монокристаллическая Кремниевая подложка
1. Длина 15 мм, Ширина 30 мм толщина 3 мм
2. Двухсторонняя полированная
3,100 штук P Тип 100 штук N Тип
4.Допинг ЭлTP типа BТип N-P
Материал:
Высокая чистота монокристаллического кремния, двухсторонняя полировка, сопротивление: 0,0001-100
Одностороннее покрытие SiO2 Толщина: 300 нм
Область применения:
1. PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектроскопия и другие аналитические тестовые субстраты
3. synchrotron радиационный экспериментальный носитель образцов
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс полупроводниковой литографии и так далее
Продукты могут быть настроены. Если вам нужна эта услуга, пожалуйста, свяжитесь с нами.
Характеристики
- Габаритные размеры
- 15.0*30.0*0.3mm
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Single crystal silicon wafer
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Si
Комплементарные товары
