Описание
ОдиночныйБоковой полировка монокристаллическая силиконовая
Технические характеристики:
Монокристаллическая Кремниевая подложка
1. длина 15,0 мм, ширина 30,0 мм, толщина 1,0 мм, С переключением между дальним и сбокуТолщина оксида 300nm.
2.На одной сторонеПолированная
3,100 штук P типа
4.Допинг ЭлTP типа B
Материал:
Высокая чистота монокристаллического кремния, двухсторонняя полировка, сопротивление: 0,0001-100
Область применения:
1. PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектроскопия и другие аналитические тестовые субстраты
3. synchrotron радиационный экспериментальный носитель образцов
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс полупроводниковой литографии и так далее
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Single crystal silicon wafer
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- 15.0*30.0*1.0mm
- Материал
- Si
Комплементарные товары
