Lcr-t4 графическое сопротивление тестера конденсатор ЭСР Диод тиристорный индуктор Mos NA431
4.04 заказа
462 руб.
Описание
Lcr-t4 графическое сопротивление тестера конденсатор ЭСР Диод тиристорный индуктор Mos
Описание продукта: Диапазон измерения сопротивления: как описание Рабочая температура: 0-40? Диапазон измерения емкости: как описание Размеры: как в описании Сделай Сам: электрический Диапазон измерения напряжения: как описание
Номер модели: как описание Тип дисплея: цифровой дисплей Диапазон измерения тока: как описание Диапазон измерения индуктивности: как описание Режим работы: как описание Характеристики: 1,2013 последняя версия программного обеспечения M328, больше функций. Чип: Atmega3282.128 * 64 Большой ЖК-дисплей с подсветкой, только 2 мА, когда стоите рядом. 3, использование батареи 9 В (не входит в комплект) диапазоны испытаний: индукторы, конденсаторы, диоды, двойной диод, mos, транзистор, SCR, регулятор, светодиодный, ESR, сопротивление, регулируемый потенциометр сопротивление: 0,1 Ом разрешение, максимум 50 м омконденсатор: 25 пФ-100000 мкФ Индукторы: 0,01 mH-20 ч функция: 1: автоматическое обнаружение NPN и PNP транзисторов, n-каналов и p-каналов MOSFET, диодов (включая двойной диод), тиристоров, транзисторов, резисторов и конденсаторов и других компонентов 2: автоматическое тестирование штифта компонента и отображение на ЖК-дисплее 3: может обнаруживать транзистор, МОП-транзистор защиты диода усиления коэффициента и основание для определения излучателя транзистора вперед смещенного напряжения 4: Измерьте емкость затвора и затвора порогового напряжения MOSFET 5: используйте жидкокристаллический дисплей 12864 с зеленой подсветкой характеристики: для вас руководство 1, управление одной кнопкой, автоматическое выключение. 2, только 20nA ток выключения. 3, автоматически обнаруживает NPN, PNP биполярные транзисторы, n-канал и p-канал MOS FET, JFET, диоды, два диода, Тиристоры малой мощности однонаправленный и двунаправленный Тиристоры. 4, автоматическая идентификация компонентов, расположение контактов. 5, измерение биполярного транзисторного коэффициента усиления тока и порогового напряжения базового излучателя. 6, через пороговое напряжение и высокий коэффициент усиления тока