Описание
Технические характеристики:
1. Материал:Кремний высокой чистоты
2. Длина: 20 мм
3. Ширина: 20 мм
4. Толщина:650um, 725um
5. Сопротивление: 0,001-50/Ω∙cm
6. Направление: <100>
7. Полировка: односторонняя полировка
8. плоскость: <1 микрометр
9. Основное применение: Для процесса синхротронного излучения носителя образца, PVD/CVD покрытие подложки, магнетронного распыления, XRD, SEM, рост атомной силы образца, инфракрасной спектроскопии, флуоресцентной спектроскопии анализа тестовая подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.







Характеристики
- Габаритные размеры
- Length * width=20mm*20mm
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Номер модели
- Length * width=20mm*20mm
- Материал
- Monocrystalline silicon













