Explosive Temperature Difference Power Generation Chip 4040 High Temperature Resistant Semiconductor Power Generation Module
  • Explosive Temperature Difference Power Generation Chip 4040 High Temperature Resistant Semiconductor Power Generation Module
  • Explosive Temperature Difference Power Generation Chip 4040 High Temperature Resistant Semiconductor Power Generation Module

Explosive Temperature Difference Power Generation Chip 4040 High Temperature Resistant Semiconductor Power Generation Module

840 руб.

Описание

Диапазон рабочих температур:-50 +, защита от ультрафиолета, 220℃

\
\

Выходной ток нагрузки:1,5А

\
\

Соответствие нагрузки выходное напряжение:6 V

\
\

Напряжение холостого хода:12 V

\
\

Матч сопротивления нагрузки (Ом): 3Ом

\
\

Соответствие выходной мощности нагрузки:9 W

\
\

Тепловой поток через модуль(Вт): ≈ 166

\
\

Плотность теплового потока(Вт см²): ≈ 10,4

\
\

Горячая линия обслуживания: 18868072002 15700030839 WX QQsynchronization

\
\

Информация о продукте

\
\

■Технология и производственный процесс прямого преобразования источника тепла в электрическую энергию;

\
\

■Структура из теллура висмута используется в силовом модуле, уникальная структура припоя обеспечивает долгосрочную стабильность блока питания. 220 ℃работа следующая

\
\

■Когда есть определенная разница температур между горячей стороной и холодной стороной модуля генератора, генерирующий модуль будет генерировать постоянный ток непрерывно;

\
\

■Когда разница температур всего модуля увеличивается, будет генерироваться больше энергии и преобразуется тепловая энергия в электрическую энергоэффективность увеличится;

\
\

Применение

\
\

●Отходы тепла в автомобилях (автомобиль, корабль);

\
\

●Отработанное тепло водонагревателя и очистной установки;●Катодная защита нефтегазопроводов;

\
\

●Отходы тепла природных тепловых ресурсов (геотермальная вода);

\
\

●Электропитание маломощного электронного оборудования;

\
\

Рейтинг высокой четкостиαКоэффициент зеебекаВольт/KThГорячая температура поверхностиKTcХолодная температура поверхностиKΔТТемпература разницуKQhГорячий конец теплаВаттQcХолодный конец теплаВаттRiУстройство сопротивленияОмRLСопротивление нагрузкиОмЯВыход currentRi = RLАмпераUВыход voltageRi = RLВольтPВыход powerRi = RLВаттΔТ = Th-TcP = Qh-Qc = I2* RL ~ ΔТ2

\
\

Применение заметки

\
\

●Модуль генератора должен быть установлен на плоской поверхности, требуемая плоскость контактной поверхности составляет 30 микрон.

\
\

●Сила нажатия должна быть не менее than12-15 кг/см2.

\
\

●Температура горячей поверхности не может превышать 200 градусов.

\
\
'